快粼光电 FastPhide Photonics

突破光通信“带宽-效率”瓶颈

快粼光电专注于高速、高功率III-V族光探测芯片的性能突破与国产替代，致力于开发兼容多材料平台（硅光/铌酸锂）的集成光芯片技术。技术成果广泛应用于数据中心短距互连、长距离骨干网及DCI算网传输、光载6G太赫兹通信、精密量测、量子精密传感、光计算等多个前沿领域。

在LinkedIn关注我们查看我们的论文

端到端的自主可控技术闭环

快粼光电围绕高速光电探测器构建了从器件结构设计、III-V族材料外延、制程工艺、超高速电性能表征到封装集成的完整开发体系。我们已掌握射频及太赫兹的高速封装技术，并具备III-V芯片的多场景集成能力，保障每一次产品迭代的落地能力与产业扩展性。

高频封装：支持0–300 GHz的低损耗封装方案

快粼光电面向光通信、太赫兹通信及微波光子学等场景，开发了覆盖直流至J波段的射频封装技术。通过优化同轴接口、微波传输线结构及热管理设计，我们的解决方案可实现<1 dB的超宽带损耗控制，兼顾热稳态性能与系统集成可靠性，适配科研验证与工程部署双场景。

异质集成：打造跨平台超高速光子集成芯片

快粼光电推动III-V芯片与TFLN（薄膜铌酸锂）、硅光（SiPh）、氮化硅（SiN）等平台的深度异质集成，打通速率瓶颈与材料兼容性。当前已实现III-V on TFLN结构的芯片输出带宽 >100 GHz，并正向III-V on Si批量制程推进。该技术将支撑下一代低功耗、高密度光互连与片上调制系统的构建。